⑴MOS型。MOS型攝像元件的電路原理.它以MOS型晶體管作為開(kāi)關(guān). 水平掃描電路分奇數(shù)列和偶數(shù)列兩組，配置成二維的光電二極管，通過(guò)各自的MOS晶體管 開(kāi)關(guān)接到圖像信號(hào)輸出電路.當(dāng)掃描到某一像素時(shí)，詼處光電二極管的MOS開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，經(jīng)由 公共總線而施加的反尚偏壓對(duì)Pn結(jié)電容進(jìn)行充電。掃描到鄰近像素時(shí)，MOS開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，直到經(jīng)過(guò)掃描 時(shí)間間隔叉掃描到這一點(diǎn)時(shí)f才再次接通.在這段時(shí) 間內(nèi)（MOS開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)），光電二極管將流過(guò)和入射 光量成比樹(shù)的電流，中和電容上的電荷?所以下次 MOS開(kāi)關(guān)接通時(shí)又會(huì)流過(guò)充電電流補(bǔ)充中和掉的電 荷。

    (2) CCD型。CCD即電荷耦合器件，其電極的基本構(gòu)造如圖S-29所示.它是一種MOS 集成電路，足由在尸型硅（或W型硅)單晶的襯廐上，生成很薄的一層優(yōu)質(zhì)二氧化陡 (Si02),再于其上蒸鍍一屠間距排列很小的鋁條電極，電極上加有適當(dāng)?shù)恼珘海ɑ蜇?fù)擗 壓），該電壓形成的電場(chǎng)穿過(guò)Si〇3薄層，并排斥P型C或iV型)硅(Si)中的多數(shù)載流子，從而 在電極下形成電荷耗盡區(qū).而在Si02Si的界面上得到一個(gè)貯存少數(shù)載流子的勢(shì)阱^所加修 壓越大，該勢(shì)阱就越深，其工能原理是：在電極心上加電脈沖時(shí)，電極下的電荷耗盡層擴(kuò) 大形成電勢(shì)阱，在光照射時(shí)產(chǎn)生的信號(hào)電荷（電子)便儲(chǔ)存在這個(gè)電勢(shì)阱中.以后，如架在. 夂電極上加電脈沖，^電極下的電勢(shì)拼便消失*信號(hào)電荷便轉(zhuǎn)送到心電極下所形成的電勢(shì)阱-對(duì)于實(shí)用化的器件，為了改善特性，構(gòu)造比這要復(fù)雜，二維CCD攝像元件的構(gòu)成主要有隔, 行傳送方式和幘傳送方式兩種5前者的瑱理如圖所示?它由感光部分的Pfl結(jié)光電二敬管，MOS開(kāi)關(guān)、CCD垂直移位寄存 器、CCD水平移位寄存器等組成，圖 中，不照光的垂直移位寄存器和光敏區(qū) 相互交叉排列.在極下面的勢(shì)阱 中積累的電荷構(gòu)成場(chǎng)在電極下 面的勢(shì)阱中積累的電荷枸成場(chǎng)5,場(chǎng)j 和場(chǎng)S—起構(gòu)成完整的一楨。首先場(chǎng)4 的電荷轉(zhuǎn)移到垂直移位寄存器，然后它 們依次送到水平移位寄存器被讀出.場(chǎng) j讀出后，場(chǎng)￡的轉(zhuǎn)移開(kāi)始，并按同樣的 方式讀出。

（3）MOS與CCD混合型。它由光電變換部、MOS 垂直移位寄存器和CCB水平移位寄存 器構(gòu)成。這種攝像元件的特點(diǎn)在于在把 光電變換部位的信號(hào)電荷轉(zhuǎn)送到CCD 移位寄存器這一部位中，設(shè)有稱為流水 式轉(zhuǎn)運(yùn)部的耦合器，以提高轉(zhuǎn)送效率。 在一這耦合器上并聯(lián)有兩個(gè)控制極 的存貯用的電容。第一個(gè)控制極開(kāi)放 時(shí)，從電容杷偏置電荷注入攝像部位， 同信號(hào)電荷混合后轉(zhuǎn)送到存貯用的電 容.然后開(kāi)放第二個(gè)控制極，只有信號(hào)電荷被送到CCD部位，而偏置電荷分量仍留在電容 中，供下次讀出時(shí)使用。送到CCD部位的信號(hào)電荷轉(zhuǎn)送到水平方向，作為圖像信號(hào)麗被依次讀出

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摘自豆瓣網(wǎng)